POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.LTD.
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*普尔盛驱动技术有限公司
Thick-film IGBT 驱动器
共同特点
应用
全内置厚膜封装
变频器
15V(CMOS)控制信号电平
大功率高频开关电源
通过检测VCE电压提供短路保护
充电机
发生短路时具有软关断功能
通讯电源
欠压保护(电源电压<13V 时保护)
UPS
故障记忆
感应加热电源
变压器隔离,隔离电压高达4kVAC(1分钟)
逆变焊机电源
内置DC/DC隔离电源,驱动器供电只需单路+15V电源
逆变器
半桥工作模式下具有上下管互锁功能,死区时间可调
 
Thick-film IGBT 驱动器
Type


(PDF)
Number
of
Channels
--
VCE
max.
--
V
Gate
voltage
VG(on/off)
V

Output
average current
IoutAV
mA

Output
peak current
IoutPEAK
A
Output
charge
Qout/pulse
μC
Switching
frequency
fSW max.
kHz
Isolation
voltage
Visol IO
kV
dv/dt
max.
--
kV/μs
PSHI 222W
2
1700
±15
±50
±10
±10
50
4
50
PSHI 222WA
2
1700
±15
±50
±15
≥10
50
4
50
PSHI 261W
6
1700
±15
±35
±10
±10
50
4
50
PSHI 232W
3-level
1700
±15
±50
±15
±15
20
4
50
 
概叙

Thick-film IGBT驱动器专为驱动通用IGBT开发的智能型IGBT驱动器,可以直接驱动1200V以及1700V的全系列IGBT 。驱动器采用厚膜封装以适应工业恶劣环境的应用。驱动器采用针脚接口设计,配合辅助接口板可灵活搭配17mm封装的各种IGBT模块,有很强的适应能力,通过改变外置的数个参数或功能来适应不同的应用,只要简单调整RGon、RGoff以及RGoff-sc的值即可驱动不同型号IGBT。通过辅助PCB板IGBT相连接。驱动器可以以半桥或者独立的模式驱动两只IGBT,半桥模式具有上下管互锁功能,死区时间可调。

驱动器采用15V电平输入,8V阈值;全部逻辑处理电路也同样在15V下工作,有效抑制输入噪声。
驱动器内置500ns窄脉冲抑制电路用来消除射频干扰。
开关信号经过编码后通过铁氧体变压器来传输,dv/dt高达75kV/μs,具有很强的抗干扰能力。

驱动器具有软关断功能以用来保护电路短路,故障时自动增加关断电阻延长关断时间,降低电压过冲,提高IGBT的可靠性,使得IGBT 可以应用在直流电压更高的场合。这也意味着增加了最终的输出功率。

驱动器内部集成的DC/DC电源原副边之间及二个副边均可承受交流4kV/1分钟的高耐压,使得控制侧免受来自副边侧的高电压的损害,保证了控制侧的安全。DC/DC电源的原边15V电源可以直接来自控制系统,多块驱动器也可以共用一个15V电源,无需隔离。

PSHI 222W为驱动二个单元IGBT设计,可直接驱动全系列17mm封装的600V、1200V及1700V的IGBT模块。
PSHI 222W为驱动多个二单元IGBT并联应用设计,输出电荷可通过外部并联的电容得以增强,输出电荷由外部电容的容值确定。
PSHI 261W为驱动六个单元IGBT设计。
PSHI 232W为傻瓜型三电平专用驱动器。二个15V信号电平输入,一个故障信号输出,内部集成驱动信号逻辑及故障关断逻辑处理时序,时序时间可通过外部电阻调整,使用简单,方便可靠。

驱动能力如下图。

 
 
产品
PSHI_PCB系列IGBT驱动器
PSHI 10W
PSHI 20W
PSHI 23W
PSHI 23H
PSHI 23S(串联)
PSHI 25W(F)
PSHI 27W(F)

PSHI_厚膜系列IGBT驱动器
PSHI 222W
PSHI 222WA
PSHI 261W
PSHI 232W(3-电平)

PSHI_ACEE系列IGBT驱动器
PSHI 312W
PSHI 321W
PSHI 322W
PSHI 323W
PSHI 324W
PSHI 325W

PSHI_HV高电压IGBT驱动器

PSHC 系列晶闸管驱动器
PSHC6S00

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