性能特点

◆采用ASIC设计,外围电路简单、使用灵活、性能更加可靠。
◆内置DC / DC隔离电源,驱动电源仅需要一个非隔离的+15V电源,多块驱动器可共用一个电源。
◆采用铁氧体变压器进行信号隔离传输,dv/dt高达75kV/μs。
◆控制板与IGBT之间的隔离电压高达4kV(交流,1分钟)。
◆输出峰值电流可达±15A。
◆通过检测VCE电压提供短路保护。
◆可选择半桥工作模式或二个单路独立工作模式。
◆输入可兼容COMS/TTL(HCMOS)电平。
◆半桥工作模式下具有上下管互锁功能,可以防止IGBT上下两管同时导通。
◆可以单独调控死区时间、VCE监测电压及保护盲区时间,最大限度满足客户特殊应用。
◆故障记忆,错误信号通过一个集电极开路晶体管反馈至控制系统,故障信号高/低有效可选。
◆提供电源电压欠压保护(低于13V保护)。
◆短脉冲抑制功能;500ns以下的短脉冲信号被抑制。
◆工作频率0Hz-100kHz。

PSHI_IGBT 驱动器概叙:
特点 功能
PCB 驱动器
ACEE* 驱动器
保护全面
上下管互锁
短脉冲抑制
“VCE”监测
欠压保护
接口简单,容易使用
可兼容CMOS/TTL输入
超强抗电磁干扰能力
即插即用
集成DC-DC变换器
高dv/dt(75kV/μs)
高度隔离(4kV AC 1分钟)
产品
IGBT 驱动器
晶闸管驱动器
DC / DC电源
特点
系统构成
性能特点
设计特点
ASIC芯片介绍
应用
如何选型
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POWER-SEM 2008 北京普尔盛电子技术有限公司 05.2008