POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.LTD.
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可控硅触发器
特点:
*经济实用
*使用简单
*体积小


*超强门极脉冲触发各种可控硅
*无需门极驱动电源
*适应各种恶劣的工业环境

可控硅触发模块  
绝对最大额定值
参数
符号
型号
单位
峰值电压
VP
1200
2000
V
额定电压
VM
400
690
Vrms
连续的直流电压
V=
500
690
Vdc
开通延时( 门极电流 >1A)
tgd
5
5
us
输入 / 输出隔离电压
Vi
5300Vrms 60Hz 1min VDE0884
输入 / 输出电压变化率
(dv/dt)c
5000
V/μs
装置瞬变免疫力
(dv/dt)d
2000
V/μs
环境温度范围
Ta
-25 to +85
操作过程中外部门阴极短路时会被破坏。
25℃时的技术数据
参数
符号
型号
单位
200毫安门极电流阈值
Vgtl
10
16
V
1.2安门极电流阈值
Vgth
24
36
V
门极电流阳极上升时间  
电压                                                                      
                                                                            100V                                                                             200V
                                                                            400V
                                                                            800V
                                                                          1200V
(di/dt)g
2.5
1.2
Aμ/s
3
2
A/μs
4
2.5
A/μs
6
3
A/μs
4
A/μs
峰值门极电流(典型)
Ip
1.3
1.3
A
Vp状态阴极和阳极电流
In
4.4
5.1
Ma
最大门极电流
Io
2*
2*
Ua
最小控制电流
Icm
7
7
mA
推荐控制电流
Ic
12
12
mA
12mA时控制输入压降
Vin
typ.1.2<1.5
typ.1.2<1.5
V
最大输入电压反向控制
Vinr
6
6
V
Ic=12mA时的打开延迟时间
tdi
25
25
μs
PSTT ZC 过零门槛
Vzt
<20
<20
V
主要产品

单相整流桥
三相整流桥
交流控制可控硅模块
超快恢复二极管模块
标准二极管模块
功率二极管
可控硅模块
可控硅模块部件
IGBT模块
MOSFET模块
固态继电器
可控硅触发器

选型目录

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自主品牌
POWER-SEM IGBT DRIVERS

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POWERSEM GmbH(德国宝德芯)
ALCON Electronics (印度艾肯电子)
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