POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.LTD.
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MOSFET 模块
特点:
*高集成-整个功率因素校正器只需一个功率半导体模块即可
*隔离电压达3600V
*平面玻璃钝化芯片
*超快升压二极管
*适用于PCB焊接的引线端子
*热敏电阻(可选)
*增加的总功率密度
*符合 UL认证,E 148688


应用:
*开关电源,不间断电源,电池充电器和变频器的功率因素预处理器
*开关电源的升压拓扑结构,包括一个整流桥
*电焊设备的供电电源
*带制动系统的驱动逆变器
*开关电源(SMPS)
*不间断供电电源(UPS)
*功率因素校正 (PFC)
*焊接
*感应加热
*驱动和电源
*电池和燃料电池驱动
*汽车制造和工业车辆等
*主要电源的功率输出侧

H - 桥
Type 
VDSS

V
ID25
TS = 25°C
A
ID80
TS = 80°C
A
RDS(on)
TJ = 25°C
Ω

tf

ns 

tr

ns 

RthJC

K/W 

PSHM 40/06* 
600
38
25 (TC=90°C) 
70
10
95
0.45
PSHM 120/01* 
100
75
47
25
60
60
0.5
PSHM 140/01* 
100
70
52
20
TBD 
TBD 
0.45
正激变换器
Type 
VDSS

V
ID25
TS = 25°C
A
ID80
TS = 80°C
A
RDS(on)
TJ = 25°C
Ω

 tf

ns

tr

ns 

RthJC

K/W 

PSHM 40D/06* 
600
38
25 (TC=90°C) 
70
10
95
0.45
PSHM 120D/01* 
100
75
47
25
60
60
0.5
PSHM 140D/01* 
100
70
52
20
TBD 
TBD 
0.45
半桥
Type 
VDSS

V
ID25
TS = 25°C
A
ID80
TS = 80°C
A
RDS(on)
TJ = 25°C
Ω

tf

ns 

tr

ns 

RthJC

K/W 

PSMI 40/06* 
600
38
25 (TC=90°C) 
70
10
95
0.45
单管
Type 
VDSS

V
ID25
TS = 25°C
A
ID80
TS = 80°C
A
RDS(on)
TJ = 25°C
Ω

tf

ns 

tr

ns 

RthJC

K/W 

PSMG 50/05*
500
43
31
100
45
60
0.3
PSMG 60/08 
800
60
tbd 
0.12
40
45
0.45
PSMG 100/05* 
500
82
62
50
45
60
0.16
PSMG 150/01* 
100
150
110
8
65
90
0.3
主要产品

单相整流桥
三相整流桥
交流控制可控硅模块
超快恢复二极管模块
标准二极管模块
功率二极管
可控硅模块
可控硅模块部件
IGBT模块
MOSFET模块
固态继电器
可控硅触发器

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